BSS84 NXP tranzystor polowy P-MOSFET
Symbol Micros:
TBSS84 NXP
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3102 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2000 | 1,3300 | 1,0200 | 0,9240 | 0,8790 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2000 | 1,3300 | 1,0200 | 0,9240 | 0,8790 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Opis szczegółowy
BSS84 to wysokiej jakości tranzystor polowy typu P-MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i wzmacniania sygnałów. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i minimalnym prądem upływu, co zapewnia efektywne i stabilne działanie.
Kluczowe cechy i możliwości tranzystora BSS84
Tranzystor oferuje maksymalne napięcie dren-źródło do 50 V, prąd drenu do 0,13 A oraz niską rezystancję R_DS(on), co przekłada się na wysoką efektywność energetyczną. Dzięki kompaktowej obudowie SOT-23 i dobrym parametrom termicznym, jest łatwy w montażu i sprawdza się w różnorodnych aplikacjach elektronicznych.
Typowe zastosowania tranzystora BSS84
Produkt znajduje zastosowanie w układach przełączających, wzmacniaczach sygnałowych, zasilaczach impulsowych oraz modułach sterowania w urządzeniach przemysłowych i konsumenckich.
Dzięki niezawodności i solidnym parametrom, BSS84 to doskonały wybór do projektów wymagających efektywnego tranzystora P-MOSFET. Sprawdź naszą ofertę i dobierz komponent idealny do swoich potrzeb.
Producent: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: -50V
Prąd drenu: 130mA
Moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD
Odpowiedniki
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
37301 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9520 | 0,4520 | 0,2540 | 0,1930 | 0,1730 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9520 | 0,4520 | 0,2540 | 0,1930 | 0,1730 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
23400 szt.
| Ilość szt. | 6000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1730 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
176200 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,1730 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
10000 szt.
| Ilość szt. | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1730 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
539 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9240 | 0,4390 | 0,2470 | 0,1870 | 0,1680 |
Sposób pakowania: 3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
2433000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1680 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
2694000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1680 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
619978 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1680 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS84-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3797 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5240 | 0,2410 | 0,1310 | 0,0979 | 0,0874 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS84-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
10000 szt.
| Ilość szt. | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0874 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS84-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
5007000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0874 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS84-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
3210000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0874 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0884 | 0,0647 | 0,0591 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4240 | 0,1670 | 0,0976 | 0,0714 | 0,0652 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1880 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3370 | 0,1330 | 0,0777 | 0,0568 | 0,0519 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 GALAXY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2500 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3800 | 0,1500 | 0,0874 | 0,0639 | 0,0584 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4080 | 0,1610 | 0,0938 | 0,0686 | 0,0627 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 MLCCBASE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS84 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
JUXING
Symbol producenta:
BSS84 B84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 | 0,1350 | 0,0657 | 0,0522 | 0,0499 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2997 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3180 | 0,1220 | 0,0598 | 0,0475 | 0,0454 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 MERRY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; --50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
MERRY
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5997 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2570 | 0,0963 | 0,0516 | 0,0385 | 0,0355 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)